HOME > Presentation > Detail硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面およびバルク電子状態評価(Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy )井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 第31回電子材料シンポジウム. 2012.NIMS author(s)IMURA, MasatakaTSUDA, ShunsukeNAGATA, TakahiroKOIDE, YasuoYAMASHITA, YoshiyukiYOSHIKAWA, HidekiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:01:50 +0900Updated at: 2017-07-10 21:22:57 +0900