オペランド硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測
(Direct Observation of the Energy Distribution of Interface States at SiO2/4H-SiC Interface: Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-07-21 22:57:03 +0900更新時刻: 2025-03-10 05:22:37 +0900