硬X線光電子分光法によるCu/HfO2 -ReRAM素子動作時の界面構造解析
(Bias application hard X-ray photoelectron spectroscopy study of Cu/HfO2 ReRAM structure)
第20回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―. 2015.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:24:41 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:02:41 +0900