HOME > Presentation > Detail硬X線光電子分光法によるCu/HfO2 -ReRAM素子動作時の界面構造解析(Bias application hard X-ray photoelectron spectroscopy study of Cu/HfO2 ReRAM structure)長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 知京 豊裕. 第20回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―. 2015.NIMS author(s)NAGATA, TakahiroYAMASHITA, YoshiyukiYOSHIKAWA, HidekiIMURA, MasatakaCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:24:41 +0900Updated at: 2017-07-10 22:02:41 +0900