HOME > 口頭発表 > 書誌詳細オペランド光電子分光法による極薄酸化膜/Si界面の界面準位測定(Interface States at Ultrathin-oxide/Si Interface Obtained from Operando Photoelectron Spectroscopy )山下 良之. 第25回日本MRS年次大会. 2015.NIMS著者山下 良之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:01:27 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:18:10 +0900