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著者名インダリ エフィ ダウィ, 山下 良之, 長田 貴弘, 上田 茂典, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe.
タイトルEffect of Conduction Band Offset on Breakdown Voltage at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
会議名79th of JSAP Autumn Meeting 2018
発表年2018
言語Japanese
外部での文献参照

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