HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Effect of Conduction Band Offset on Breakdown Voltage at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopyインダリ エフィ ダウィ, 山下 良之, 長田 貴弘, 上田 茂典, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. 79th of JSAP Autumn Meeting 2018. 2018年09月18日-2018年09月21日.NIMS著者山下 良之長田 貴弘上田 茂典Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-07-14 16:06:38 +0900更新時刻: 2018-07-14 16:06:38 +0900