HOME > 口頭発表 > 書誌詳細デバイス動作下硬X線光電子分光法による半導体素子の界面評価(Bias Voltage Dependent Interface Properties Obtained from Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation)山下 良之. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―. 2015. 招待講演NIMS著者山下 良之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:02:13 +0900 更新時刻 :2024-03-05 11:45:27 +0900