HOME > Presentation > Detail
デバイス動作下硬Ｘ線光電子分光法による半導体素子の界面評価
(Bias Voltage Dependent Interface Properties Obtained from Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation)
ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―. 2015. Invited
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-02-14 11:02:13 +0900Updated at: 2024-03-05 11:45:27 +0900