Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12). 2017年07月24日-2017年07月28日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-12-27 22:06:23 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:53 +0900