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著者名IMURA, Masataka, TSUDA, Shunsuke, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki, YAMASHITA, Yoshiyuki, 小林啓介, KOIDE, Yasuo, 山口智広, 荒木努, 名西やすし.
タイトルSurface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0<x<1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy
(硬X線光電子分光法を用いたアンドープInxGa1-xN(0<x<1)の表面-バルク電子状態評価)
会議名第37回電子材料シンポジウム
発表年2018
言語English
外部での文献参照

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