HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化(Variation of Surface and Bulk Electronic Structures of In-rich InGaN)井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.NIMS著者井村 将隆津田 俊輔長田 貴弘山下 良之吉川 英樹小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-03-14 22:32:01 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:18:56 +0900