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著者名井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし.
タイトルMgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化
(Variation of Surface and Bulk Electronic Structures of In-rich InGaN)
会議名第65回応用物理学会春季学術講演会
発表年2018
言語Japanese
外部での文献参照

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