HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化(Variation of Surface and Bulk Electronic Structures of In-rich InGaN)井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018年03月17日-2018年03月20日.NIMS著者井村 将隆津田 俊輔長田 貴弘山下 良之吉川 英樹小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-03-14 22:32:01 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:18:56 +0900