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Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化
(Variation of Surface and Bulk Electronic Structures of In-rich InGaN)
第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.
NIMS author(s)
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Created at: 2018-03-14 22:32:01 +0900Updated at: 2018-06-05 14:18:56 +0900