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著者名IMURA, Masataka, TSUDA, Shunsuke, NAGATA, Takahiro, BANAL, Ganipan Ryan, YOSHIKAWA, Hideki, YANGAnli, YAMASHITA, Yoshiyuki, 小林啓介, KOIDE, Yasuo, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし.
タイトルSystematic investigation of surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0≦x≦1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy
会議名International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
発表年2018
言語English
外部での文献参照

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