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SiO2/4H-SiC における界面準位と界面構造の相関
(Atomic Structures and Interface States Density at SiO<sub>2</sub>/4H-SiC Interface)

著者山下 良之, エフィ ダウィ インダリ, 蓮沼 隆.
掲載誌名表面と真空 64 [7] 312-317
ISSN: 24335843, 24335835
出版社
発表年2021
言語Japanese
DOIhttps://doi.org/10.1380/vss.64.312
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