HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Ge上ルチル型TiO2_High-k層へのYドープ濃度の依存性(Influence of Y doping for rutil type TiO2 on Ge)鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, パウルサミー チナマトゥ, 生田目 俊秀, 小橋 和義, 小椋厚志, 知京 豊裕. ゲートスタック研究会. 2015.NIMS著者長田 貴弘山下 良之生田目 俊秀知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:53:16 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:01:44 +0900