HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制(Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge)小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013.NIMS著者長田 貴弘生田目 俊秀山下 良之知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:53:31 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:39:00 +0900