HOME > Presentation > DetailHfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制(Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge)小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013.NIMS author(s)NAGATA, TakahiroNABATAME, ToshihideYAMASHITA, YoshiyukiCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-02-14 10:53:31 +0900 Updated at :2017-07-10 21:39:00 +0900