HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制
(Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 10:53:31 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:39:00 +0900