トンネル磁気抵抗素子（TMR素子）の磁性層と絶縁層の界面を精密に制御することでTMR比の更新を達成した。具体的には、左図に示すように高品位化のためエピタキシャル成長技術を駆使して薄膜素子を作製した。絶縁層の下界面へのマグネシウム層の挿入や、上界面への酸化導入など、原子スケールで界面の結晶性の改善を進めた結果、上下ともに急峻な界面を持つ単結晶素子が実現された。この結果として、15年ぶりの世界記録更新となる室温631%という巨大なTMR比が実現された（右図）。さらに、絶縁層の厚さに依存して周期的にTMR比が変動する現象（TMR振動）が明確に表れ、その振動幅は141%と巨大なものとなることも見出した（従来は数%～数十%程度）。今後この振動現象のメカニズムを調べTMR比との関係を明らかにすることによってTMR比のますますの更新が期待できる。従来の値を更新する大きな室温TMR比の実証により、今後心磁場や脳磁場検出など高感度センサーへの展開に加え、従来のTMR比水準では困難な新規メモリ技術としての活用が期待される。