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著者名小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕.
タイトルルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御
(Interface Engineering of HfO2/Ge Gate Stack Structure by Rutile TiO2 Buffer Layer)
会議名第61回応用物理学会春季学術講演会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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