HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御(Interface Engineering of HfO2/Ge Gate Stack Structure by Rutile TiO2 Buffer Layer)小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014.NIMS著者長田 貴弘生田目 俊秀山下 良之知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:30:18 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:31:53 +0900