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Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode

ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, K. Kita.
54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023年12月13日-2023年12月16日.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900更新時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900

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