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NIMS一般公開2024

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Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode

54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023年12月13日-2023年12月16日.

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    作成時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900更新時刻: 2024-01-09 03:11:16 +0900

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