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強誘電体ゲート有機トランジスタへの応用に向けた原子層堆積法によるHfxZr1-xO2薄膜の成長条件の検討
(Evaluation of growth conditions of HfxZr1-xO2 thin films using atomic layer deposition for application to ferroelectric-gate organic transistors)
2026年 第87回 応用物理学会 秋季学術講演会. September 08, 2026-September 11, 2026.
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Created at: 2026-10-17 03:10:13 +0900 Updated at: 2026-10-17 03:10:13 +0900