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patent	2020021829	半導体装置および半導体装置の製造方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2020088128	半導体装置および半導体装置の製造方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2020009884	半導体装置、半導体装置の使用方法およびその半導体装置の製造方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2020105038	半導体基板の製造方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2020031171	半導体層と絶縁体層との界面特性の測定方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	EP3677904, US20200249185, WO2019044640, 3677904	乾湿応答センサー	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2020021828	半導体装置の製造方法	2020	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2019012826	ガリウム窒化物半導体基板の製造方法、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法	2019	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2019012827	窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法	2019	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	EP3246947, US20170346006, 3246947	抵抗変化型素子およびその製造方法	2017	2024-04-27 03:41:05 +0900
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patent	EP3173778, US20170167995, US20190145920, WO2016013544, 3173778	第１の細線と第２の細線の間隔が５ｎｍ以上２０μｍ未満である乾湿応答センサー	2017	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2016131216	抵抗変化型素子の製造方法	2016	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2015144175	薄膜トランジスタおよびその製造方法	2015	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2015103677	薄膜トランジスタ及びその製造方法	2015	2024-04-27 03:41:05 +0900
patent	2015144154	薄膜トランジスタおよびその製造方法	2015	2024-04-27 03:41:05 +0900
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