HfSiOxゲート AlGaN/GaN MOS-HEMT の電気的特性評価
(Electrical characteristics of HfSiOx-gate AlGaN/GaN MOS-HEMT)
第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020年03月12日-2020年03月15日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2020-09-26 03:00:22 +0900更新時刻: 2020-09-26 03:00:22 +0900