原子層堆積法で作製したInOxチャネルを用いた 酸化物トランジスタの特性
(Characteristics of oxide TFT with InOx channel fabricated by atomic layer deposition)
第87回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2023年08月30日-2023年08月31日. 招待講演
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2023-09-12 03:46:22 +0900更新時刻: 2024-01-09 03:09:10 +0900