HOME > Presentation > Detail
原子層堆積法で作製したInOxチャネルを用いた 酸化物トランジスタの特性
(Characteristics of oxide TFT with InOx channel fabricated by atomic layer deposition)
第87回半導体・集積回路技術シンポジウム. August 30, 2023-August 31, 2023. Invited
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2023-09-12 03:46:22 +0900 Updated at: 2024-01-09 03:09:10 +0900