HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaCp*を原料とした高純度Ga2O3 薄膜の原子層堆積水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 第140回講演大会 表面技術協会. 2019年09月09日-2019年09月10日.NIMS著者生田目 俊秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-10-02 03:00:22 +0900 更新時刻: 2019-10-02 03:00:22 +0900
