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次世代CMOSに用いられる高誘電体材料HfO2の第一原理計算を用いた研究
(Study of HfO2 dielectric materials in next generation CMOS by using First-principles simulation)

池田 稔, 生田目 俊秀, 鳥海 明, Georg Kresse.
第107回誘電体研究委員会. 2009. 招待講演

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-02-14 11:46:15 +0900 更新時刻 :2024-03-05 11:42:30 +0900

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