Gate-Bias-Induced Threshold Voltage Shifts in GaN FATFETs

著者	Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Takatomi Izumi, Junya Nishii, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide.
掲載誌名	ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 [5] 055007 ISSN: 21628769, 21628777 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	The Electrochemical Society
発表年	2023
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1149/2162-8777/acd1b4
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