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低熱負荷（500 ℃）酸素パッシベーション界面層（O-PAS IL）による極薄CET（〜0.9 nm）High-kゲートスタック形成
(Formation of ultra-scaled high-k gate stacks (CET 0.9 nm) by low-thermal-budget (500 °C) oxygen-passivated interfacial layer (O-PAS IL))

森田 行則, 川那子 高暢, 神岡 武文, 三谷 祐一郎, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 塚越 一仁, 星井 拓也, トープラサートポン カシディット, 田村 敦史, 喜多 浩之, 岡田 直也, 間部 謙三, 水林 亘, 太田 裕之, 松川 貴, 右田 真司.
2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900 更新時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900

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