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低熱負荷（500 ℃）酸素パッシベーション界面層（O-PAS IL）による極薄CET（〜0.9 nm）High-kゲートスタック形成
(Formation of ultra-scaled high-k gate stacks (CET 0.9 nm) by low-thermal-budget (500 °C) oxygen-passivated interfacial layer (O-PAS IL))
2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. September 08, 2026-September 11, 2026.
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Created at: 2026-09-15 03:06:50 +0900 Updated at: 2026-09-15 03:06:50 +0900