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Hf基本構造のHigh-kにおけるTaYCゲート電極のY量がVfb制御へ及ぼす効果
(Effect of Y Content in Ta1-xYxC Gate Electrodes on Vfb Control for Hf-based High-k)

Pattira Homhuan, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, Sukkaneste Tungasmita.
IWDTF-11. 2011.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-02-14 11:36:03 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:57:46 +0900

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