HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Hf基本構造のHigh-kにおけるTaYCゲート電極のY量がVfb制御へ及ぼす効果(Effect of Y Content in Ta1-xYxC Gate Electrodes on Vfb Control for Hf-based High-k)Pattira Homhuan, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, Sukkaneste Tungasmita. IWDTF-11. 2011.NIMS著者生田目 俊秀知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:36:03 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:57:46 +0900