HOME > Presentation > DetailITO/HfO2 MOSキャパシタのアニール雰囲気がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響(Effect of annealing ambient for ITO/HfO2 MOS capacitors on flatband voltage shift)山田 博之, 大石 知司, 生田目 俊秀, 知京 豊裕. 2011年春期(第148回)大会. March 25, 2011-March 27, 2011.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideCHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:54:59 +0900 Updated at: 2018-06-05 12:54:03 +0900