ITO/HfO2 MOSキャパシタのアニール雰囲気がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響
(Effect of annealing ambient for ITO/HfO2 MOS capacitors on flatband voltage shift)
2011年春期（第148回）大会. 2011.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 10:54:59 +0900更新時刻: 2018-06-05 12:54:03 +0900