HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Study of HfSiOx film as gate insulator for GaN power device生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, Ryota Och, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, 小出 康夫. 20th International Workshop on Junction Technology 2021. 2021. 招待講演NIMS著者生田目 俊秀色川 芳宏小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-08-19 03:00:20 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:41 +0900
