Study of HfSiOx film as gate insulator for GaN power device
20th International Workshop on Junction Technology 2021. 2021年06月10日-2021年06月11日. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2021-08-19 03:00:20 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:41 +0900