異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの構造評価 (Structural analysis of ferroelectric HfxZr1−xO2/TiN fabricated using atomic layer deposition with different oxidant)
女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, 喜多 浩之, 右田 真司, 太田 裕之, 森田 行則.