Improvement of characteristics for n-GaN/Al2O3/Pt capacitor with the GaN surface modified by the dummy SiO2 process
2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023年10月23日-2023年10月25日.
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作成時刻: 2023-10-31 03:14:38 +0900更新時刻: 2023-10-31 03:14:38 +0900