HOME > 口頭発表 > 書誌詳細 新規原料( GaCp*)によるGa2O3薄膜の原子層堆積( Atomic Layer Deposition of Gallium Oxide Thin Films Using a New Precursor "GaCp*")水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 第139回講演大会 表面技術協会. 2019.NIMS著者生田目 俊秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-10-08 03:00:22 +0900更新時刻: 2019-10-08 03:00:22 +0900