HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfxZr1−xO2/ZrO2積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上(Improvement of ferroelectricity of thick ferroelectric films using HfxZr1−xO2/ZrO2 stack structure)女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020.NIMS著者生田目 俊秀長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-11-30 14:06:47 +0900更新時刻: 2020-11-30 14:06:47 +0900