HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode((TaC)1-xAlx電極からのAl拡散によるHfO2ゲートスタックにおけるVfbシフトのメカニズム)NABATAME, Toshihide. 221st ECS Meeting. 2012年05月06日-2012年05月11日. 招待講演NIMS著者生田目 俊秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-09-05 13:20:27 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:43:44 +0900