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著者名Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Yanna Chen, Satoshi Hiroi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata.
タイトルCharacterization of a 4-inch GaN wafer by X-ray diffraction topography
掲載誌名CrystEngComm 20 [48] 7761-7765
ISSN: 14668033
発表年2018
言語English
DOI10.1039/c8ce01440j
ESIでのカテゴリCHEMISTRY
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