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Study on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films using Pulse Measurement
(パルス測定法による低温度作製したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電体スイッチング特性及び分極疲労メカニズムの研究)

女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志.
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理- (EDIT26). 2021.

NIMS著者


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    作成時刻 :2021-04-16 03:00:19 +0900 更新時刻 :2021-04-16 03:00:19 +0900

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