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Oxygen reduction for p-type TeOx thin-film transistor

Applied Physics Letters 128 [21] 212109. 2026.

NIMS著者


論文紹介

P型薄膜トランジスタ材料酸化テルルにおけるトランジスタ特性の発現条件を解明

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P型トランジスタ材料の酸化テルルがトランジスタ特性を得るためには、単に原料のTeO2を蒸着するだけでは絶縁体となりトランジスタにはならず、還元材を混合させて蒸着しなければならないことを初めて明らかになりました。原料が還元されることによりアモルファス酸化テルル薄膜中に金属テルルのナノ結晶が点在するようになり、そこでホッピング伝導が起こることがわかりました。

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


作成時刻: 2026-06-05 03:07:59 +0900 更新時刻: 2026-07-06 04:30:10 +0900

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