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Characterization of a GaN wafer and a homo-epitaxial layer by synchrotron X-ray topography techniques

SEO, Okkyun, KIM, Jaemyung, HIROI, Satoshi, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KOIDE, Yasuo, SAKATA, Osami.
The 66th JSAP Spring Meeting, 2019. 2019年03月09日-2019年03月12日.

NIMS著者

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    作成時刻: 2019-07-20 03:00:22 +0900更新時刻: 2019-07-20 03:00:22 +0900

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