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著者名SEO, Okkyun, KIM, Jaemyung, HIROI, Satoshi, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KOIDE, Yasuo, SAKATA, Osami.
タイトルCharacterization of a GaN wafer and a homo-epitaxial layer by synchrotron X-ray topography techniques
会議名The 66th JSAP Spring Meeting, 2019
発表年2019
言語English

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