Design of Interface Formation Process for Superior Ferroelectricity and Enhanced Fatigue Resistance in HfxZr1−xO2-Based Ferroelectric Devices
AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2026). 2026年06月28日-2026年07月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900 更新時刻: 2026-07-31 03:07:56 +0900