Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates

著者	Yoshihiro Irokawa, Tomoko Ohki, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide.
掲載誌名	Japanese Journal of Applied Physics 60 [6] 068003 ISSN: 13474065, 00214922 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	IOP Publishing
発表年	2021
言語	English
DOI	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac0260
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