HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] ガリウム窒化物半導体基板の製造方法、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法2019-01-24. 特開2019012826号 (Google Patents) NIMS著者小出 康夫木本 浩司三石 和貴色川 芳宏生田目 俊秀作成時刻 :2023-07-22 21:46:01 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:46:01 +0900
