原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリー
(Electrical characteristics of multi-level switching memory with metal-oxide stack structure by atomic layer deposition)
NIMS著者
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作成時刻: 2018-01-16 20:44:02 +0900更新時刻: 2018-06-15 22:58:54 +0900