HOME > 口頭発表 > 詳細強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性(Importance of TiOxNy Layer at TiN/HfxZr1−xO2 Interface for Superior Ferroelectricity)著者女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則. 会議名第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会発表年2022言語Japanese
