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強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性
(Importance of TiOxNy Layer at TiN/HfxZr1−xO2 Interface for Superior Ferroelectricity)

女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則.
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2022.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

    作成時刻: 2022-04-12 03:25:17 +0900更新時刻: 2022-04-12 03:25:17 +0900

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