2nm以細技術ノードに向けたhigh-k/メタルゲートスタックのCETスケーリング：展望と課題

2nm以細技術ノードに向けたhigh-k/メタルゲートスタックのCETスケーリング：展望と課題
(Further Scaling of the Capacitance Equivalent Thickness (CET) In High-k/Metal Gate Stacks Toward the 2nm Technology Node and Beyond: Prospects and Challenges)

森田行則, 川那子高暢, 神岡武文, 三谷祐一郎, 生田目俊秀, 女屋崇, 深田直樹, ジェバスワンウイパコーン, 塚越一仁, 星井拓也, トープラサートポンカシディット, 田村敦史, 喜多浩之, 岡田直也, 間部謙三, 水林亘, 太田裕之, 松川貴, 右田真司.

シリコン材料・デバイス研究専門委員会（Silicon Devices and Materials: SDM）. 2026年08月04日-2026年08月06日. 招待講演

作成時刻: 2026-08-07 03:08:12 +0900 更新時刻: 2026-08-07 03:08:12 +0900