HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察(Consideration of critical factors for suppressing endurance degradation caused by electric-field-induced interface reactions in HfO2-based ferroelectric devices)女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 塚越 一仁. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.NIMS著者女屋 崇生田目 俊秀長田 貴弘塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900 更新時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900