HOME > Presentation > DetailHfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察(Consideration of critical factors for suppressing endurance degradation caused by electric-field-induced interface reactions in HfO2-based ferroelectric devices)女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 塚越 一仁. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. September 08, 2026-September 11, 2026.NIMS author(s)ONAYA, TakashiNABATAME, ToshihideNAGATA, TakahiroTSUKAGOSHI, KazuhitoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2026-09-15 03:06:50 +0900 Updated at: 2026-09-15 03:06:50 +0900