HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Poly-Si/メタル窒化物/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動(Vfb Shift Due to Nitrogen Released from Gate-electrode in Poly-Si/Metal-nitride/High-k Gate Stacks)松木武雄, 大毛利健治, 諸岡哲, 鈴木隆之, 佐藤基之, 木本 浩司, 生田目 俊秀, 宮崎誠一, 白石賢二, 知京 豊裕, 山田啓作, 由上二郎, 松井 良夫, 池田和人, 大路譲. 「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第15回研究. 2010.NIMS著者木本 浩司生田目 俊秀知京 豊裕松井 良夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:52:29 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:41:43 +0900