Poly-Si/メタル窒化物/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動
(Vfb Shift Due to Nitrogen Released from Gate-electrode in Poly-Si/Metal-nitride/High-k Gate Stacks)
「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第15回研究. 2010年01月22日-2010年01月23日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:52:29 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:41:43 +0900