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著者名Liwen Sang, Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano.
タイトルInitial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes
掲載誌名Applied Physics Letters 111 12 122102
ISSN: 10773118 00036951
発表年2017
言語English
DOI10.1063/1.4994627
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